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分析技術在晶圓切割液研發中的應用

背景



硅晶圓?

硅晶圓是指硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純硅制成長硅晶棒,將多晶硅融解拉出的單晶硅晶棒切割成一片一片薄薄的晶圓,成為制造積體電路的石英半導體的材料,由于其形狀為圓形,故稱為硅晶圓。成為制造積體電路的石英半導體的材料,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓,硅晶圓是硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,是制造IC的基本原料。

晶圓切割

在晶圓制造中屬后道工序,將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片(晶粒),稱之為晶圓劃片

晶圓劃片的過程中,常常出現硅片脆裂、切割設備磨損、腐蝕等問題,切割液則可以緩解或解決這些問題,因此把用于晶圓劃片過程中切割液叫做晶圓切割液(也叫劃片液)。

晶圓制造

是先將晶圓適當清洗,再在其表面進行氧化及化學氣相沉積,然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟,最終在晶圓上完成數層電路及元件加工與制作。

晶圓切割液配方設計



晶圓切割液的酸堿性,不僅直接影響產品的最終清洗過程,還影響硅晶片的表面微觀加工質量,及影響設備的適用壽命,所以切割液的酸堿性不易過強。

晶圓切割液常見的分析方法



不同體系的晶圓切割液中,均含有不同功能的表面活性劑、溶劑、以及各種助劑。一般需要用物理分離、化學分離、硅膠柱層析、色譜分離等方法,將對混合物進行分離、提純,再利用光譜、質譜、色譜、能譜、熱分析等儀器,對各個分離組分進行定性分析、結構確定、定量分析,并最終還原成切割液的基礎配方。

案例一

選國外進口的一款晶圓切割液,對所含組分逐一進行結構表征。

第一部分 樣品的整體測試

1)IR測試


1100cm-1附近的出峰,可能是聚氧乙烯醚類非離子表面活性劑中C-O鍵的出峰。

2)XRF測試

樣品高度濃縮后進行XRF測試:測試到少量的鉀元素、磷酸素,可能來自某種有機或無機磷酸的伽鹽,微量的硅可能來自含硅的助劑,微量的鈣離子可能是水中的雜質

3)NMR測試

從原樣在重水中的氫譜圖中可以看出,樣品還有烷基酚聚氧乙烯醚、聚乙二醇,少量聚醚等信息

4)質譜測試

通過IR、NMR、XRF確定含有表面活性劑,質譜正離子模式確定是辛基苯酚聚氧乙烯醚等非離子型的表面活性劑

從負離子模式看出,樣品中可能有少量聚氧乙烯醚磷酸酯類的陰離子表面活性劑

5) 樣品原樣的TGA測試圖

6) 水含量測試結果


第二部分? 逐步分離的結果

將樣品用柱層析、溶劑提取、減壓蒸餾等手段進行分離,將各組分分別進行紅外光譜、核磁共振、MS等測試。(如下部分譜圖)

GCMS測試圖譜


紅外測試圖譜

第三部分綜合分析結果

案例二

市面上買的某晶圓切割液 ,表面有殘留,方法:SEM-EDS、顯微紅外



1)經SEM測試,硅片的黑色那一面放大250~1000倍,有明顯的白色點(可能是殘留),配合測試EDS,發現白色點的主要成分是硅,可能來自與切割后的硅粉殘留;有少部分的硅、氧,也有少量的碳元素,可能是高溫下切割液中的物質殘留或者是殘炭。

2)放大1000倍以上,發現硅片表面全部是黑色的斑點,EDS測試黑點的成分,主要是硅,懷疑是切割后的硅片有分層現象,再顯微鏡下呈現出斑點狀的暗區。


對5顆晶圓表面有異常的部位,用顯微紅外測試,主要分成三種不同的異物組分:

1)在800cm-1處有明顯出峰,但是解析不出確定的物質,紅外數據庫也沒有類似的出峰,與正常的單晶硅的出峰不同;經顯微拉曼測試,也未檢測到確定的官能團

2)匹配焦磷酸鹽、磷酸鹽,可能是配方中添加的脂肪醇醚磷酸酯鹽的殘留

3)匹配為硅酸鹽、二氧化硅等,可能是硅粉在切割中,高溫氧化的產物

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